Cours/Séminaire
Notice
Langue :
Français
Crédits
INPL Nancy (Réalisation)
Conditions d'utilisation
Droit commun de la propriété intellectuelle
DOI : 10.60527/kgr8-h911
Citer cette ressource :
SEC. (2006, 1 janvier). L'épitaxie par jets moléculaires , in Pour enseigner. [Vidéo]. Canal-U. https://doi.org/10.60527/kgr8-h911. (Consultée le 19 mars 2024)

L'épitaxie par jets moléculaires

Réalisation : 1 janvier 2006 - Mise en ligne : 2 octobre 2007
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Descriptif

Le film présente la réalisation de couches minces monocristallines avec l'aide d'une machine d'épitaxie par jets moléculaires (MBE Molecular Beam Epitaxy). Dans une première partie est expliqué le principe du dépôt permettant la croissance de couches minces épitaxiées. Ensuite l'obtention d'un vide poussé est justifié par l'utilisation de jets moléculaires et les différentes chambres de l'appareil sont présentées. Une troisième partie permet de préciser comment est contrôlée la qualité de la croissance des couches : la technique de diffraction d'électrons de haute énergie par réflexion (RHEED Reflexion High Energy Diffraction) permet de caractériser le dépôt couche par couche ; la microscopie par effet tunnel (STM Scanning Tuneling Microscopy) permet de visualiser directement la surface du dépôt.

GénériqueLE LABORATOIRE DE PHYSIQUE DES MATERIAUX présente : L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES Une vidéo LPM-UHP-INPL Nancy Scénario : Stéphane ANDRIEU : LPM Nancy François MARRON : Cellule TICE-INPL Marie-Odile SELME : Ecole des Mines Nancy Muriel SICOT : LPM Nancy Animations : François MARRON Images et montage : Jean-Pierre AVOIS Réalisation : Cellule TICE - INPL Nancy

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